Accès ouvert

Investigation of electrical properties at ambient and high temperature of Al 2 O 3 based Schottky barrier diodes structure using I-V, C-V and G/ω-V measurements

Article scientifique 2024 Anglais

Résumé

Citer ce document

Hlali, S., Bourguiba, F., Hizem, N., Kalboussi, A., Dhahri, R., Al-Syadi, A., Elkenany, E., Kossi, S. (2024). Investigation of electrical properties at ambient and high temperature of Al 2 O 3 based Schottky barrier diodes structure using I-V, C-V and G/ω-V measurements. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-4863767/v1

Accès au document

Texte intégral en lecture en ligne, réservé aux abonnés SPHAERO et aux membres de l'institution. Se connecter

Voir l'article sur le site de la revue

Auteur(s)

Slah Hlali Fayçal Bourguiba Neila Hizem Adel Kalboussi R. Dhahri Aref M. Al-Syadi Elkenany Brens Elkenany Safwen El Kossi

Statistiques

Consultations : 1

Téléchargements : 0