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Design of SiO2\SiGn\GeSn QDPD for 1550nm operation with High-Gain, Low Dark Current assisted by double Charge Barriers.

Article scientifique 2026 Autre

Résumé

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Arafa, I., Mostafa, H., Elogail, Y. (2026). Design of SiO2\SiGn\GeSn QDPD for 1550nm operation with High-Gain, Low Dark Current assisted by double Charge Barriers.. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-8626182/v1

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Auteur(s)

Islam Arafa Hassan Mostafa Yasmine Elogail

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