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Tensile Stress-Induced Micro-Cracking of Ramming Paste Drives Electrical Instability in Hall-Héroult Cells

Article scientifique 2026 Autre

Résumé

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Aly, M., Ali, M., Kandil, A., El-Kersh, A. (2026). Tensile Stress-Induced Micro-Cracking of Ramming Paste Drives Electrical Instability in Hall-Héroult Cells. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-8648438/v1

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Auteur(s)

Mahmoud A. Aly Mohamed Mahmoud Ali Amr Kandil A. M. El-Kersh

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