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Synergistic Control of Ambipolar Conduction in Ge-based Nanowire TFETs Using Gate Underlap and SiGeSn Heterojunction Barriers

Article scientifique 2026 Autre

Résumé

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Labib, M., Shaker, A., Gad, M., Elogail, Y. (2026). Synergistic Control of Ambipolar Conduction in Ge-based Nanowire TFETs Using Gate Underlap and SiGeSn Heterojunction Barriers. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-8997110/v1

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Auteur(s)

Mina Labib Ahmed Shaker Michael Gad Yasmine Elogail

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